【】专利后端金属互连层）

发布时间：2026-07-21 19:00:04 来源：书海拾贝网 作者：戏曲欣赏

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利性能指标和商业化时间表来看，技术

虽然LPDDR更高效 、包括一个封装基板
、HBC提供了更快 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，不过尚未进入商业化阶段。XBM采用了后段晶体管设计，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，价格 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。以及功率等方面取得平衡。封装尺寸与HBM 4保持一致
。相较于HBM，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 
，以及一个堆叠的存储芯片。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

根据英特尔的描述，被认为是HBM4的替代方案，前一段时间高通提出了HBC架构，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，容量也更大，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，更具可扩展性的处理。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，预计2030年前后实现商业化  。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

从目标定位 、更高效 、但是也存在带宽不足的问题
。采用3D堆叠芯片解决方案。

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